Infineon introduce una generación de chips más eficiente
Los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) de alto voltaje son componentes esenciales en los coches eléctricos. Convierten la tensión continua de la batería en tensión alterna para la propulsión eléctrica de forma eficaz y con bajas pérdidas de energía. Los RC-IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) combinan el transistor con un diodo de paso libre en un chip. Esto ahorra espacio, reduce las pérdidas por conmutación y mejora la refrigeración. Por su parte, los chips EDT3 (tren de transmisión eléctrico de 3ª generación) representan la última generación de chips para trenes de transmisión eléctricos. Integran una moderna tecnología de sensores para el control de la temperatura y la corriente y garantizan una mayor eficacia, una mayor autonomía y un menor consumo de energía.
En comparación con la anterior generación EDT2, Infineon ha logrado reducir las pérdidas de energía en los chips EDT3 hasta en un 20% bajo carga elevada, manteniendo la misma eficiencia en funcionamiento con carga parcial. Esto significa: menos pérdidas de energía, menos calor residual, mejor autonomía y menores costes para los vehículos eléctricos. Gracias a sus temperaturas máximas más elevadas (hasta 185°C) y a su robusta resistencia dieléctrica (750 o 1.200 V), son ideales para los inversores principales.
La nueva generación de chips de Infineon para hacer más potentes los coches eléctricos
Infineon lanza una nueva generación de chips de potencia de alto voltaje para hacer que los coches eléctricos y los híbridos enchufables sean más eficientes y potentes. Entre ellos se incluyen los chips EDT3 y RC-IGBT.
Los nuevos RC-IGBT con una clase de tensión de 1.200 V también combinan IGBT y diodo en un solo chip, lo que aumenta la densidad de corriente, reduce las necesidades de material y ahorra costes durante la integración del sistema. Son especialmente adecuados para las arquitecturas modernas de 800 V, como las utilizadas en los coches eléctricos de alto rendimiento.
Leadrive, un desarrollador y fabricante chino de módulos de potencia de carburo de silicio, en el que Volvo Cars tiene una participación, valora positivamente los nuevos chips. "Infineon, como principal proveedor y socio de chips IGBT de Leadrive, nos proporciona constantemente soluciones innovadoras que aportan beneficios a nivel de sistema", declaró el Dr. Jie Shen, fundador y director general de Leadrive. "Los últimos chips EDT3 han optimizado las pérdidas y la distribución de las mismas, soportan temperaturas de funcionamiento más elevadas y ofrecen múltiples opciones de metalización. Estas características no sólo reducen el área de silicio por amperio, sino que también aceleran la adopción de tecnologías de envasado avanzadas."
Todos los chips pueden integrarse en módulos de potencia personalizados, como el nuevo HybridPACK Drive G2, que cubre hasta 250 kW de potencia. Los nuevos componentes EDT3 y RC-IGBT ya están disponibles como muestras para la industria del automóvil.
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