Mazda y Rohm trabajan en semiconductores de nueva generación
Los semiconductores de potencia con nitruro de galio (GaN) se consideran una alternativa prometedora a los semiconductores de silicio convencionales, ya que se dice que reducen la pérdida de energía y permiten componentes más pequeños y eficientes, según Mazda y Rohm.
Las dos empresas llevan trabajando en inversores con carburo de silicio (SiC), otra tecnología avanzada de semiconductores, desde 2022. Al centrarse en el GaN, ahora se pretende seguir avanzando en la miniaturización y la mejora de la eficiencia. La colaboración pretende desarrollar un modelo de demostración para 2025 e implantarlo en componentes de vehículos listos para la producción para 2027.
Los semiconductores de potencia son componentes clave en los accionamientos eléctricos, responsables de convertir y controlar la energía eléctrica. Aunque el silicio (Si) ha sido el estándar durante mucho tiempo, materiales como el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) ofrecen propiedades eléctricas significativamente mejores. El GaN permite mayores velocidades de conmutación y funciona con menores pérdidas de energía, lo que resulta especialmente ventajoso para los vehículos eléctricos.
"A medida que se acelera el cambio hacia la electrificación en pos de la neutralidad de carbono, estamos encantados de colaborar con ROHM, que aspira a crear una sociedad de movilidad sostenible con su extraordinaria tecnología de semiconductores y sus avanzadas capacidades de soluciones de sistemas, en el desarrollo y la producción de componentes de automoción para vehículos eléctricos", declaró Ichiro Hirose, Director, Consejero Delegado Senior y Director Técnico de Mazda. "Nos entusiasma trabajar juntos para crear una nueva cadena de valor que conecte directamente los dispositivos semiconductores y los automóviles".
"El EcoGaN™ de ROHM, capaz de funcionar a alta frecuencia, y el CI de control que maximiza su rendimiento son claves para la miniaturización y el ahorro energético. Para implantarlo en la sociedad, es esencial la colaboración con un amplio abanico de empresas, por lo que hemos establecido diversas asociaciones para el desarrollo y la producción en masa de GaN", declaró Katsumi Azuma, miembro del consejo de administración y alto directivo de ROHM.
El anuncio de Mazda y Rohm subraya la fuerza innovadora y la sostenibilidad de la asociación, pero sigue siendo vago en cuanto a los obstáculos técnicos específicos y los retos económicos. La transición del silicio establecido a los semiconductores GaN implica elevados costes de desarrollo y complejos procesos de producción. Además, sigue sin estar claro en qué segmentos de vehículos utilizará Mazda la nueva tecnología y si estará disponible a costes calculables de forma realista.
La cuestión de la escalabilidad y la preparación para el mercado también sigue sin respuesta. Aunque Rohm ya tiene experiencia con componentes GaN, integrarlos en vehículos de producción es un paso más. Mazda debe demostrar que la nueva tecnología ofrece realmente una ventaja tangible para los clientes y que no es sólo una herramienta de marketing para la movilidad sostenible.
En diciembre, Rohm ya había firmó una asociación con el fabricante de chips taiwanés TSMC para desarrollar y producir en serie elementos de potencia de nitruro de galio para vehículos eléctricos.
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