Mitsubishi Electric presenta la matriz desnuda SiC-MOSFET de alta calidad
El troquel desnudo incorpora tecnologías de fabricación propias, incluido un proceso de película de óxido de compuerta. Mitsubishi Electric afirma que el proceso de película de óxido de compuerta ayuda a suprimir la pérdida de potencia y las fluctuaciones de la resistencia de encendido. Gracias a ello, el componente atenúa la pérdida de potencia en un 50% en comparación con los planos convencionales. Además, el producto emplea la implantación oblicua de iones, lo que reduce la pérdida de conmutación.
Según Mitsubishi Electric, el componente de banda prohibida ancha basado en MOSFET encuentra aplicaciones en inversores de motores de propulsión de vehículos eléctricos (VE), vehículos híbridos enchufables (PHEV) y otros vehículos eléctricos. La empresa espera aprovechar el componente para facilitar la descarbonización, ampliar la autonomía de conducción y mejorar la eficiencia energética de los vehículos.
El producto se enviará en los modelos WF0009Q-1200AA y WF0008Q-0750AA, que cumplen la directiva sobre restricciones a la utilización de determinadas sustancias peligrosas (RoHS).
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