Infineon anuncia un gran avance en la tecnología de semiconductores

Infineon ha anunciado que ha logrado desarrollar la primera tecnología mundial de obleas de GaN de 300 mm para electrónica de potencia. Esto permite mejorar el rendimiento de la eficiencia, reducir el tamaño, el peso y el coste global de los chips.

Según Infineon, este avance ayudará a la empresa a progresar significativamente en el mercado de los semiconductores de potencia basados en GaN. La producción de chips en obleas de 300 milímetros es tecnológicamente más avanzada y mucho más eficiente que en obleas de 200 milímetros, ya que el mayor diámetro de la oblea permite producir 2,3 veces más chips por oblea. Infineon escribe que el nuevo proceso de producción "permite un rendimiento eficiente, un tamaño más pequeño, un peso más ligero y un coste global más bajo. Además, la fabricación en 300 mm garantiza una mayor estabilidad en el suministro al cliente gracias a la escalabilidad."

Infineon también estima que poder utilizar su equipo existente de fabricación de silicio de 300 mm, "ya que el nitruro de galio y el silicio son muy similares en los procesos de fabricación. Las actuales líneas de producción de silicio de 300 mm de gran volumen de Infineon son ideales para pilotar una tecnología GaN fiable, permitiendo una implantación acelerada y un uso eficiente del capital."

"Este notable éxito es el resultado de nuestra fuerza innovadora y del trabajo dedicado de nuestro equipo global para demostrar nuestra posición como líder en innovación en GaN y sistemas de potencia", dijo Jochen Hanebeck, CEO de Infineon Technologies AG. "Este avance tecnológico cambiará las reglas del juego de la industria y nos permitirá liberar todo el potencial del nitruro de galio". Casi un año después de la adquisición de GaN Systems, volvemos a demostrar que estamos decididos a ser líderes en el mercado de rápido crecimiento del GaN". Como líder en sistemas de potencia, Infineon domina los tres materiales relevantes: el silicio, el carburo de silicio y el nitruro de galio."

Infineon también ha abierto recientemente un nueva planta de producción de semiconductores en Malasia, que se centra en los convertidores de carburo de silicio. La empresa también ha estado investigando un proyecto de semiconductores con GaN desde Mayo de 2023.

infineon.com