Onsemi presenta la nueva generación de semiconductores SiC

El fabricante estadounidense de semiconductores Onsemi ha presentado su última generación de plataformas tecnológicas de carburo de silicio para su uso en vehículos eléctricos y otras aplicaciones. En comparación con las generaciones anteriores, la plataforma puede reducir las pérdidas por conducción en un 30% y las pérdidas por desconexión hasta en un 50%.

Imagen: Onsemi

Según Onsemi, los llamados MOSFET EliteSiC M3e también ofrecen la menor resistencia específica a la conexión del sector con capacidad de cortocircuito, lo que resulta crucial para el mercado de inversores de tracción. En los vehículos eléctricos, los inversores convierten la corriente continua de la batería en corriente alterna para el motor o motores eléctricos. Cuanto menores sean las pérdidas de conversión y los requisitos de refrigeración, mayor será la autonomía del vehículo con el mismo tamaño de batería.

Un ejemplo concreto: Empaquetada en los módulos de potencia de Onsemi, "la matriz M3e de 1200 V suministra una corriente de fase sustancialmente mayor que la tecnología EliteSiC anterior", lo que debería traducirse en una potencia de salida un 20% mayor en la misma carcasa del inversor de tracción. Onsemi también afirma que ahora se puede diseñar una etapa de potencia fija con alrededor de un 20% menos de contenido de SiC, lo que ahorra costes y permite el desarrollo de sistemas más pequeños, ligeros y fiables.

Según la empresa, la nueva generación de SiC también permitirá "mejorar el rendimiento y la fiabilidad de los sistemas eléctricos de nueva generación a un menor coste por kW, lo que influirá en la adopción y la eficacia de las iniciativas de electrificación." Con la capacidad de funcionar a frecuencias de conmutación y tensiones más elevadas, minimizando al mismo tiempo las pérdidas por conversión de potencia, la plataforma es una amplia gama de aplicaciones automovilísticas e industriales "una amplia gama de aplicaciones automovilísticas e industriales". Además de los accionamientos eléctricos, éstas incluyen cargadores rápidos de CC, inversores solares y soluciones de almacenamiento de energía. También puede utilizarse para hacer más eficientes los centros de datos.

"El futuro de la electrificación depende de los semiconductores de potencia avanzados. La infraestructura actual no puede seguir el ritmo de las demandas mundiales de más inteligencia y movilidad electrificada sin innovaciones significativas en el campo de la potencia. Esto es fundamental para poder lograr la electrificación mundial y detener el cambio climático", declaró Simon Keeton, presidente del grupo Power Solutions de onsemi. "Estamos marcando el ritmo de la innovación, con planes para aumentar significativamente la densidad de potencia en nuestra hoja de ruta tecnológica del carburo de silicio hasta 2030 para poder satisfacer las crecientes demandas de energía y permitir la transición global hacia la electrificación."

Onsemi planea acelerar la introducción de varias generaciones futuras de carburo de silicio para 2030. El fabricante estadounidense de semiconductores is también invierte en una planta europea de semiconductores SiC en la República Checa. Entre los clientes de Onsemi figuran numerosos fabricantes de vehículos eléctricos (como Volkswagen, BMW, Hyundai-Kia y Zeekr) y el proveedor de trenes motrices Vitesco.

onsemi.com

1 Comentario

acerca de "Onsemi presenta la nueva generación de semiconductores SiC"
BISWANATH PAL
22.07.2024 um 20:17
Una gran noticia, siendo un profesional de los vehículos eléctricos, puedo ver el glorioso futuro del segmento de los vehículos eléctricos, así como de la electrónica de potencia para este invento.

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