ZF integra circuitos de NXP en sus inversores de SiC para vehículos eléctricos de 800 voltios
NXP ha anunciado que sus propios circuitos electrónicos de alto voltaje GD316x se integrarán en la próxima generación de inversores de tracción SiC de ZF para aplicaciones de 800 voltios. Con ello se pretende acelerar la introducción de estos inversores de nueva generación. Los socios citan las ventajas de una electrónica de potencia más segura, eficiente y potente para los coches eléctricos. Estas mejoras deberían ser perceptibles para los conductores en forma de una mayor autonomía y, por tanto, menos paradas para la carga, y para los fabricantes de equipos originales en forma de una reducción de los costes de fabricación a nivel de sistema.
"Estamos deseando trabajar con NXP para elevar el listón de las capacidades y el rendimiento de nuestras soluciones de inversores de tracción de 800 V, lo que nos ayudará a alcanzar nuestros objetivos de reducción de emisiones y fomento de la sostenibilidad", declaró el Dr. Carsten Götte, vicepresidente senior de tecnología de trenes de potencia electrificados de ZF. La combinación de la experiencia de ZF en control de motores y electrónica de potencia con la familia de controladores de puerta GD316x de NXP permitirá a la empresa ofrecer sus últimos inversores de tracción basados en SiC con una mayor densidad de potencia y volumen, eficiencia y diferenciación, proporcionando a los clientes mejoras significativas en seguridad, eficiencia, autonomía y rendimiento.
Los inversores de tracción son un componente importante de la cadena cinemática eléctrica. Convierten la tensión continua de la batería en tensión alterna que acciona el motor del vehículo. Dado que los inversores de tracción están pasando ahora a diseños basados en SiC, los dispositivos de potencia de SiC deben emparejarse con controladores de puerta aislados en AT para obtener ventajas como una mayor frecuencia de conmutación, menores pérdidas de conducción, mejores características térmicas y mayor robustez a altas tensiones en comparación con los conmutadores de potencia IGBT y MOSFET basados en silicio de la generación anterior.
"Junto con ZF, estamos desarrollando la electrónica de potencia de próxima generación para los futuros vehículos eléctricos", afirma Robert Li, Vicepresidente Senior y Director General de Electrificación de NXP. "Nuestra familia de controladores de puerta implementa una serie de características excepcionales tanto para proteger como para liberar los beneficios de los interruptores de potencia de SiC de alto voltaje, lo que los convierte en una opción ideal para las nuevas soluciones de inversores de tracción basados en SiC de ZF."
0 Comentarios