Onsemi añade nuevos semiconductores de SiC a su cartera
Según la empresa, las soluciones basadas en carburo de silicio pueden ayudar a reducir el coste de los módulos de potencia IGBT, ya que son más eficientes. Incorporan mecanismos de refrigeración sencillos que ayudan a reducir el tamaño de los módulos en un 40% y el peso en un 52% en comparación con las soluciones IGBT tradicionales basadas en silicio.
Todos los módulos utilizan la tecnología Gen3 M3S SiC MOSFET. En comparación con los semiconductores basados exclusivamente en silicio, los MOSFET de SiC conmutan de forma más eficiente, lo que reduce directamente el consumo de energía. Los módulos integrados de potencia (PIM) EliteSiC admiten una potencia de salida escalable de 25 kW a 100 kW, "lo que permite múltiples plataformas de carga rápida de CC y sistemas de almacenamiento de energía, incluida la carga bidireccional", escribe la empresa en su comunicado.
La creciente cartera de Osemi ofrece "a los diseñadores la flexibilidad necesaria para elegir el PIM adecuado para las etapas de conversión de potencia en sus aplicaciones de carga rápida de CC o de sistemas de almacenamiento de energía", afirma la empresa. Además, pondrá a disposición de los diseñadores su generador de modelos de simulación de circuitos eléctricos lineales a trozos (PLECS) y simulaciones de aplicaciones para ayudar a acelerar el ciclo de diseño.
Onsemi firmó el año pasado varios acuerdos de suministro con importantes empresas de la industria automovilística. Entre ellas se encuentran los OEM alemanes Volkswagen y BMW, proveedor Vitesco, Grupo Stellantis y la marca china de Geely Zeekr. Proveedor de automoción con sede en Austria Magna también anunció que integrará semiconductores SiC del fabricante estadounidense.
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