El DoE de EE.UU. financiará un proyecto de sistema de propulsión de GM y NexGen
El objetivo del proyecto de desarrollo conjunto es mejorar la eficiencia, el rendimiento y la sostenibilidad general de los vehículos eléctricos y pretende centrar sus esfuerzos en el diseño de la electrónica de potencia, la integración de motores, la gestión térmica y la optimización a nivel de sistema para los sistemas de propulsión eléctrica, utilizando los semiconductores GaN verticales de NexGen.
En febrero de 2023, NexGen anunció una actualización "relativa a la disponibilidad de muestras de ingeniería para sus semiconductores de 700V y 1200V. La actual generación de NexGen de 1200V, 1 Ohm, GaN Vertical e-mode Fin-jFETs han demostrado con éxito >1 MHz de conmutación a 1,4kV de tensión nominal", que la compañía afirma construye la base para el anuncio de hoy.
"Estamos encantados de que el premio del DoE nos brinde la oportunidad de desarrollar sistemas de propulsión eléctrica basados en GaN con un fabricante de automóviles líder como General Motors", declaró Shahin Sharifzadeh, consejero delegado de NexGen. "Esta colaboración nos ayudará a introducir sistemas de propulsión verticales con inversor basados en GaN en el mercado de los vehículos eléctricos y contribuirá a que los fabricantes de automóviles mejoren la autonomía, reduzcan el peso y aumenten la fiabilidad del sistema."
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