Infineon lidera un proyecto de semiconductores con GaN
El nuevo proyecto de investigación de la UE ALL2GaN, dirigido por Infineon Austria, pretende explotar el potencial de ahorro energético de los semiconductores de potencia de alta eficiencia fabricados con nitruro de galio (GaN) para que puedan integrarse fácil y rápidamente en numerosas aplicaciones.
El nombre del proyecto ALL2GaN significa "Soluciones de CI de GaN inteligentes y asequibles para aplicaciones más ecológicas". Infineon espera poder reducir potencialmente las pérdidas de energía en una media del 30% gracias a la nueva generación de chips GaN. Se espera que esto beneficie a los cargadores de a bordo y a las aplicaciones de carga móvil.
El proyecto reúne a 45 socios de doce países con un presupuesto total de unos 60 millones de euros. ALL2GaN tendrá una duración de tres años y se financia mediante inversiones de la industria, subvenciones de cada uno de los países participantes y el programa europeo de investigación denominado Tecnologías Digitales Clave.
Se dice que el nitruro de galio, al igual que el tan citado carburo de silicio (SiC), es capaz de convertir la energía de forma más eficiente. "Las tecnologías GaN están allanando el camino para las aplicaciones que impulsan la descarbonización. Aplicaciones como la carga de móviles, las fuentes de alimentación de centros de datos, los inversores solares residenciales y los cargadores de a bordo para vehículos eléctricos están en el punto de inflexión", explica Adam White, presidente de la división de sistemas de potencia y sensores de Infineon Technologies AG. "Con el proyecto de investigación All2GaN, los chips de ahorro energético fabricados con nitruro de galio pueden desarrollarse ahora aún más rápido e integrarse fácilmente en muchas aplicaciones gracias a la caja de herramientas de integración. El proyecto de investigación abre un enorme potencial de aplicación y crea beneficios sostenibles."
En Infineon-Villach ya se han desarrollado chips de GaN rentables. ALL2GaN consiste ahora en integrar los novedosos semiconductores "Made in Europe". Para ello, se construirán de forma modular y se integrarán en numerosas aplicaciones mediante una denominada caja de herramientas de integración. Según Infineon, la investigación abarca desde elementos de chip individuales y módulos GaN de alto rendimiento hasta diseños de chip y novedosos enfoques de sistema en chip.
Otras empresas ya han reconocido el potencial del GaN: El proveedor alemán Vitesco acordó una cooperación con el especialista canadiense Sistemas GaN en noviembre de 2021. Según Vitesco, los semiconductores GaN pueden ser más económicos que los semiconductores SiC en términos de sistema. Renault colabora con la empresa suiza STMicroelectronics, que trabaja, entre otras cosas, en la tecnología GaN. A principios de este año, Toshiba Electronics Europe puso en marcha un nuevo laboratorio de alto voltaje en sus instalaciones de Düsseldorf (Alemania) a principios de 2022, centrado especialmente en el carburo de silicio y el nitruro de galio.
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